专利技术按照时间的分布，即将统计分析的结果按照时间排序予以整理，统计分析专利随时间变化的趋势。通过对科研机构专利申请数量及增长率随时间变化的分析比较，可以反映科研机构技术创新行为变化的快慢和趋势，同时披露研究机构的成长类型和技术产出。

由图1可知，从1987-2010年，某机构共有中国专利1 193件，其中发明专利1 117件。在这24年里，年均申请专利数为49件。申请专利的高峰年限在2004-2010年的7年时间里，累计为986件，年均申请专利数140件，约占申请专利总量的82.65%；其中2006年的申请专利数量最多，达184件。从图1中可以看出，在1999年之前，该机构发明专利每年发明专利量有小幅波动，但总体表现平稳，基本保持稳定在每年10件以下。从2000年开始到2003年，每年的发明专利量呈现出明显的上升趋势。2004年专利增长量出现井喷——专利增长率达到了160%。从2006年开始，该机构的专利数量出现降幅后基本趋于稳定。2009年和2010年的申请量和往年相比有所下降。

专利密度指科研机构研究与实验发展全时人员（即人员当时当量，包括科研人员和在学研究生，以下均简称“科技人员数”）平均拥有的专利申请数。通过对专利密度进行分析，可以看出科研机构人均研发能力的强弱。专利密度的变化也可以看出研究机构对科研投入的并行变化。由表1和图2可知，某机构的专利密度2005-2010年比较平稳，都保持了较好的态势。其中2006年的专利密度最高，达到了0.196 4。

对专利被后续专利引用的次数进行分析，可以了解此专利的重要程度和对后续专利产生的影响力。引用情况揭示了专利之间的联系，可用于跟踪对应于不同技术的专利网络，以此来评估科研机构处于该技术领域的研发位置。

表2为某机构发明专利中被引次数≥2次的专利统计。可以发现，IPC号主要集中在H01L（半导体器件）、H01S（利用受激发射的器件）、G02B（光学元件、系统或仪器）等领域，说明某机构有较大影响的专利技术集中在半导体器件和光学元件等方面。

通过专利权人对专利申请后的维护情况的分析，可进一步了解科研机构对该专利涉及技术领域的重视程度，以此来判断科研机构的重点研发方向。同时对于放弃保护专利的后续应用情况进行分析，为科研机构管理层提出专利保护策略的建议。

如表2所示，某机构有6件被引次数大于等于2次的发明专利，其中5件均因“撤回”或“未缴年费”的原因而终止。这说明该机构虽然成功申报了发明专利，但是由于缺乏专利保护策略和意识，没有在此之后进行“保护性专利”的申报工作，致使这两件专利都处于“放弃保护”的法律状态。

同理，从“自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法”专利的施引专利分析可以看出，该专利因未缴年费专利权终止”，从而致使引用该专利的日本松下电器股份有限公司可以不缴纳任何专利费用，凭借其申请的各种专利在专业市场内不断扩大市场份额，开拓新的应用市场，从而获取更多的经济回报。

由此，笔者建议某机构管理层注意：①需要围绕某项专利及时设置相应的系列保护性专利，避免本应创造较大市场价值的专利技术被无偿利用，防止为开发这项专利投入的大量人力物力财力无谓损失。②强化研发人员的专利技术可持续开发意识，通过在原有专利上改进并申请新专利的做法不但可以始终保持自己在该技术领域内的领先地位，更可以扩大专利权的覆盖范围，为将来该技术的市场化做准备。

通过分析某科研机构高被引核心专利的施引专利，可预测科研机构的技术发展，不断跟踪新技术、新市场。

由图3分析得出，某公司在引用某机构某重要专利的基础上继续研发出TET-LCD相关技术，进一步推进了薄膜晶体管基板制造技术的发展。

通过分析科研机构申请专利的法律状态，能够反映出该科研机构有多少专利被开发成功。专利实施的数量越多表明该科研机构的技术实现以及转化能力就越高。

如表3所示，1987-2010年某机构的1 193件各类专利中，有233件专利维持授权状态，占总专利数的19.53%；276件专利处于放弃保护状态，占总专利数的23.13%；9件专利实现了技术转化，占总专利数的7.54%，其中2件专利成功实现专利权转移。

在递交专利申请后成功获得专利授权（含授权后因各种原因放弃专利权的专利）的专利数量为509件，占总专利数的42.67%；有272件专利提交申请后未获得授权，占总专利数的22.80%；审查中的专利有324件，占总专利数的27.1%。

通过对技术领域的专利数量进行统计，分析该科研机构的重点研发领域以及竞争对手的情况，可为科研机构规避竞争对手、寻找合作机会提供参考。

图4为某机构发明专利技术统计情况，可以看出，该机构发明专利的第一热点集中在V08-A04A(Semiconductor laser)专利技术分类，有147件，其中近3年新申请的占21%；第二热点表现在U11-C01J3A (Deposition of aiii-bv compound layer)专利技术分类，有97件，其中近3年新申请的占26%；第三热点表现在L04-C11C (Semiconductor processing – electrodes)专利技术分类，有93件，其中近3年新申请的占50%。

用某机构发明专利的三大技术热点专利，在DII数据库中利用德温特手工代码进行相关技术领域专利的查找，分别对每个技术领域排名前10位的专利权人进行分析。

某机构发明专利第一热点集中在V08-A04A(Semiconductor laser)专利技术分类，找到相关专利42 555 件，排名前10位的专利权人如表4所示：

第二热点集中在U11-C01J3A (Deposition of aiii-bv compound layer)专利技术分类，找到相关专利6 890件，排名前10位的专利权人如表5所示：

第三热点集中在L04-C11C (Semiconductor processing – electrodes)专利技术分类，找到相关专利47 750 件，排名前10位的专利权人如表6所示：

从表4-表6可以看出，与某机构有相似专利技术的专利权人主要分布在日本和韩国，包括日本电气公司、松下电器股份有限公司、三菱电机公司、住友电气工业公司、富士通研究开发中心有限公司、三星电子公司、韩国海力士半导体公司、LG电子有限公司等。在今后的科研过程中，某机构可以针对这些国家和机构进行预警分析等，抑或寻求合作，抑或防患于未然。